蘇州大量程電壓傳感器代理價(jià)錢(qián) 逆變器測(cè)試 無(wú)錫納吉伏科技供應(yīng)

強(qiáng)磁場(chǎng)是指磁場(chǎng)強(qiáng)度高于商用超導(dǎo)磁體所能達(dá)到比較高的磁場(chǎng)，將磁場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)20T的磁場(chǎng)定義為強(qiáng)磁場(chǎng)。按照現(xiàn)階段世界上強(qiáng)磁場(chǎng)系統(tǒng)的建設(shè)，強(qiáng)磁場(chǎng)系統(tǒng)一般由磁體、電源系統(tǒng)、低溫冷卻系統(tǒng)、測(cè)量測(cè)試系統(tǒng)和實(shí)驗(yàn)平臺(tái)構(gòu)成。其中磁體是直接產(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng)的裝置，電源為整個(gè)系統(tǒng)的工作提供相應(yīng)的能量，低溫冷卻系統(tǒng)為磁體的工作創(chuàng)造必要的工作環(huán)境，測(cè)量測(cè)試系統(tǒng)是測(cè)量、監(jiān)測(cè)和采集必要的實(shí)驗(yàn)參數(shù)和信息，實(shí)驗(yàn)平臺(tái)即是為科學(xué)研究工作提供相關(guān)的接口和實(shí)驗(yàn)環(huán)境。它可以測(cè)量交流電平和/或直流電壓電平。蘇州大量程電壓傳感器代理價(jià)錢(qián)

移相全橋變換器在工作時(shí)，通過(guò)與開(kāi)關(guān)管并聯(lián)的諧振電容和原邊諧振電感諧振，來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的軟開(kāi)關(guān)。主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖2-4所示。圖中T1和T2為超前臂開(kāi)關(guān)管，T3和T4為滯后臂開(kāi)關(guān)管；C1和C2分別為T(mén)1和T2的并聯(lián)諧振電容，且C1=C2=Clead；C3和C4分別為T(mén)3和T4的并聯(lián)諧振電容，且C3=C4=Clag；D1~D4分別為T(mén)1~T4的反并聯(lián)二極管；Lr為原邊諧振電感；TM為高頻變壓器；DR1~DR4為輸出整流二極管；Lf、L、Ca和Cb分別為輸出濾波電感和濾波電容；Z為輸出負(fù)載。上?；魻栯妷簜鞲衅鲀r(jià)格從上述兩個(gè)關(guān)系，我們可以清楚地說(shuō)，比較高的電壓將累積在**小的電容器。

1）額定電壓：根據(jù)前面的計(jì)算，電網(wǎng)取電輸入整流后直流母線(xiàn)峰值電壓為373v。一般情況下選用額定電壓為直流母線(xiàn)**高電壓的兩倍的開(kāi)關(guān)管，在此處，前端儲(chǔ)能電容兼具濾波穩(wěn)壓作用，功率開(kāi)關(guān)管的電壓可以降低，選用額定電壓為500v的開(kāi)關(guān)管即可。2）額定電流：補(bǔ)償電源總功率約為1200w，直流側(cè)母線(xiàn)比較低電壓為199v，由此估算通過(guò)橋臂上**大電流為6A，考慮到2倍裕量，可以選用額定電流12A的開(kāi)關(guān)管?？紤]到補(bǔ)償電源的容量可能會(huì)在后期實(shí)驗(yàn)中加以擴(kuò)充，故而選用開(kāi)關(guān)管時(shí)選用額定電壓為600v，額定電流為50A的IGBT，具體型號(hào)為英飛凌公司的IKW50N60T。

整個(gè)控制板由五個(gè)模塊構(gòu)成：電源模塊、采樣及A/D轉(zhuǎn)換模塊、DSP控制模塊、PWM輸出模塊、驅(qū)動(dòng)電路模塊。數(shù)字控制電路中任何一個(gè)芯片的工作都離不開(kāi)電源，其中DSP芯片和A/D芯片對(duì)電源的要求很高，電源發(fā)生過(guò)電壓、欠電壓、功率不夠或電壓波動(dòng)等都可能導(dǎo)致芯片不能正常工作甚至損壞。對(duì)于任何一個(gè)PCB板，電源模塊設(shè)計(jì)的好壞都直接影響著整個(gè)控制板工作的穩(wěn)定。在設(shè)計(jì)電源模塊的時(shí)候，不僅要為整個(gè)控制板提供其所需要的所有幅值的電壓，還要保證每一個(gè)幅值的電壓值穩(wěn)定、紋波小，必要時(shí)須電氣隔離，并且電源模塊須功率足夠。電壓傳感器相對(duì)于傳統(tǒng)測(cè)量技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。

儲(chǔ)能電容的計(jì)算：1）根據(jù)工程經(jīng)驗(yàn)估算：根據(jù)工程實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，裝置的功率與前端儲(chǔ)能電容有對(duì)應(yīng)的關(guān)系。整個(gè)裝置的功率P=UI=2060=1.2Kw，每瓦對(duì)應(yīng)儲(chǔ)能電容容量1μF，則可選用電容至少1200μF。2）根據(jù)能量關(guān)系式計(jì)算：儲(chǔ)能電容為后續(xù)的DC/DC變換提供直流電壓，其本身的電壓波動(dòng)反應(yīng)在電容上可以認(rèn)為是電容器電能的補(bǔ)充和釋放過(guò)程。要保持電容器端電壓不變，每個(gè)周期中儲(chǔ)能電容器對(duì)電路提供的能量和其本身充電所得的能量相等。儲(chǔ)能電容在整流橋輸出端，同時(shí)也須承擔(dān)濾波的任務(wù)。為了保證對(duì)整個(gè)裝置提供足夠的能量，我們所選用的儲(chǔ)能電容**小值為1200UF。電壓傳感器可以確定交流電壓或直流電壓電平。杭州大量程電壓傳感器聯(lián)系方式

**種是**簡(jiǎn)單的方法，即向由傳感器和參考電阻組成的電阻分壓器電路提供電壓。蘇州大量程電壓傳感器代理價(jià)錢(qián)

本項(xiàng)目逆變橋臂上有4個(gè)開(kāi)關(guān)管，對(duì)應(yīng)需要四個(gè)**的驅(qū)動(dòng)電路?？蛇x用的驅(qū)動(dòng)電路有很多種，以驅(qū)動(dòng)電路和IGBT的連接方式可以將驅(qū)動(dòng)電路分為直接驅(qū)動(dòng)、隔離驅(qū)動(dòng)和集成化驅(qū)動(dòng)。在此我們采用集成化驅(qū)動(dòng)，因?yàn)橄鄬?duì)于分立元件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路，集成化驅(qū)動(dòng)電路集成度更高、速度快、抗干擾強(qiáng)、有保護(hù)功能模塊，并且也減小了設(shè)計(jì)的難度[25]。**終選用集成驅(qū)動(dòng)電路M57962，如圖4-3和4-4所示為M57962L驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大效果圖。M57962 是 N 溝道大功率 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路，可以驅(qū)動(dòng) 1200V/400A 大功率 IGBT， 采用快速型光耦合器實(shí)現(xiàn)電氣隔離，輸入輸出隔離電壓高達(dá) 2500V。蘇州大量程電壓傳感器代理價(jià)錢(qián)